CVD SILICON CARBIDE

 

CVD碳化矽材料是設計工程師的理想陶瓷用材。它的性能優於普通的碳化矽以及其他陶瓷、石英和金屬材料。它在化學密封劑和軸承、設備零部件、半導體晶體傳送部件和腔室部件、光學設備零部件以及其他要求苛刻的應用領域具有領先的性能表現。

陶氏光學和陶瓷技術事業部的本體化學氣相沉積(CVD)工藝生產獨立式單片集成CVD碳化矽材料。這種固體材料的純度非常高99.9995%, 而且理論上是非常緻密的,沒有孔洞或者微小的裂痕。其立方晶系的ß晶體結構使其具有各向同性。在過去的二十多年時間裡所進行過的數百次的測試結果都確認了這種材料的品質均一性——不僅同一批次生產的產品具有品質均一性,而且不同批次之間的產品也具有品質均一性。我們獨特的CVD工藝所固有的這些優勢可以使我們製備出具有重現性的、性能優異的材料。

 

用於半導體加工設備的CVD SILICON CARBIDE 零部件

 

固體的CVD  SILICON  CARBIDE 零部件被公認為是RTP/epi 圓環和基座以及等離子體刻蝕腔體零部件的主要選用對象,這些零部件在系統要求工作溫度高(>1500°C)、對純度的要求特別高(>99.9995%)以及對耐化學品性能特別高的時候性能尤其出色。這些材料在晶粒邊緣不含有二次相,因此與其他材料相比,其零部件所產生的顆粒就較少。此外,這些零部件可以使用熱的HF/HCl 進行清理,降解很少,從而使其所產生的顆粒也極少,使用壽命也更長久。

對於在那些諸如等離子刻蝕、CVDMOCVD等要求RF耦合的設備中的高電阻和低電阻晶圓加工和腔室零部件,陶氏的可控電阻牌號產品是滿足半導體工藝工程師要求的理想材料。

 

CVD SILICON CARBIDE  材料與其他材料的比較

很多碳化矽零部件是採用粉末的燒結法以及/或者粉末的熱壓法製備的。燒結法製備的碳化矽常常含有二次相、雜質以及會引起問題的孔隙。由於其質地較脆,使其不能擁有CVD工藝製備的碳化矽所具有的耐高溫氧化性能或者強度。很明顯,CVD碳化矽材料是那些要求苛刻的應用領域的首選材料。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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